7月28日，德国半导体巨头英飞凌科技（Infineon Technologies）宣布，将在马来西亚追加投资300亿令吉（折合人民币约508亿元），于吉打州居林高科技工业园新建全球最大的8英寸（200mm）碳化硅（SiC）功率半导体晶圆厂。这一项目标志着英飞凌在SiC领域的产能布局迈入全新阶段，也再次巩固了马来西亚在全球半导体制造产业链中的战略地位。

全球最大8英寸SiC前端工厂，三期投资累计近1000亿令吉

据马来西亚投资发展局（MIDA）披露，此次新增投资是英飞凌居林基地第三期扩建项目，在此之前：

• 一期投资规模达20亿欧元（约98亿令吉），聚焦标准硅芯片产线；

• 二期在2024年8月追加50亿欧元（约245亿令吉），主要用于功率器件升级；

• 本轮三期直接追加300亿令吉，则专门针对SiC材料路线，构建英飞凌历史上最大200mm晶圆制造基地。

该项目预计将为马来西亚新增1500个高附加值就业岗位，并将进一步推动本地产业生态发展。值得一提的是，英飞凌同步宣布，将于2025年初启动“供应商发展计划”，协助139家当地中小企业（SMEs）融入其全球供应链。

在“寒冬期”逆势加码，英飞凌对SiC长期价值仍充满信心

2024年以来，第三代半导体产业整体遭遇“下行压力”：

• Wolfspeed资金链告急、申请破产保护；

• 瑞萨电子放弃自研EV用SiC器件，转向采购策略；

• 罗姆（ROHM）尽管加码投资，但在2025年Q1出现近12年来首次亏损；

• ST意法半导体亦面临营收承压，碳化硅业务增长明显放缓。

在这样的背景下，英飞凌却选择逆势扩产、深化垂直整合战略，彰显其对SiC功率半导体的长期发展趋势保持高度信心。英飞凌早在2022年便斥资数亿欧元构建从衬底、外延、器件到模块封装的一体化产业链，并在2023年实现200mm SiC晶圆量产。此次马来西亚工厂的建设将进一步完善其全球制造网络，强化其在新能源汽车、光伏储能、工业电源等战略市场的领先地位。

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